377H

石墨填充,黑色,用于电子器件普通粘接、填充、密封和灌封.

340

铜填充导电胶,低温固化,优异的导电和耐高温性能.

431

铜填充导电胶,适用于丝网印刷工艺,无需溶剂.优异的导电和耐高温性能.

E2101

SMD贴片电容和电阻粘接至电路板而没有桥连;适用于倒装芯片低温封装,E2101形成的球点,可用于替代Sn/Pb焊锡球.是电路装配,JEDEC Level Ⅲ/Ⅱ半导体封装的理想材料.也可作为喷墨式设备或医用/超声波设备的PZT电极导电连接材料。高黏度,适用于漏版印刷和丝网印刷;低流动性,在金制表面不会渗出;低挥发、低离子、卓越的导电性能.

E2001

瞬间固化(175℃45秒).用于大尺寸半导体芯片粘接至导线架(lead frame),或小尺寸LEDs、GaAs芯片粘接.混合微电子芯片粘接至陶瓷PCB或,SMDs至陶瓷基板.光电子行业激光二极管或光电二极管芯片封装.适用于JEDEC Level Ⅲ/Ⅱ封装标准.

E3001-6

瞬间和低温固化;用于MCM、IC或COB芯片粘接.低挥发、低吸水性、无溶剂.极好的导热、导电及机械性能;符合MIL-STD 883/5011标准;

E3001-R2

高温快速固化、混合后4天的工作寿命,特别适合于高效率半导体生产线芯片封装.用于在IC、MCM和COB芯片粘接(die-attach)工艺中,有卓越的导电、导热和机械性能；符合MIL-STD 883/5011标准.

E3082

用于粘接要求低应力的大尺寸芯片或基材;低弹性模量、玻璃化温度高,适合热压引线健合技术.200℃1分钟快速固化;用于半导体、混合微电路或MCM芯片粘接及封装，符合MIL STD 883/5011测试标准.

E3084

单组份,无需低温储藏,省去了混合带来的大量浪费,方便运费和储藏.仅此就为客户节省了大量成本.是那些要求耐高温和低应力工艺的理想材料;与那些仅仅是低模量,低Tg的柔性胶不同的是,E3084有韧性,低模量和高Tg,正因为有高Tg和低储能模量相结合,才有效弥补大尺寸芯片和基材在热沉中膨胀系数不匹配的问题;无溶剂、丝网印刷;

EE129-4

室温/加热固化,填充银.固化迅速,用于电子器件和芯片粘接.

E2116-5

高黏度、丝网印刷、导电环氧树脂胶，用于SMT器件粘接（替代焊锡胶）,是铅锡接触衬垫粘接的理想材料.

E4110

室温/加热固化;用于混合微电子芯片粘接,Rf/微波器件基材料粘接;EMI/Rf屏蔽、低温冷却系统、LCDs ITO连接应用;对金属、陶瓷、玻璃和塑料有良好的粘接效果.低黏度,可喷涂至应用表面;固化后可形成象金属明亮发光的表面.

H20E

填充银环氧树脂胶;是微电子/光电子行业芯片粘接的理想材料.用于快速芯片粘接,JEDEC Level Ⅲ/Ⅱ塑料芯片封装,高功率/高电流器件及高功率LEDs应用,光电子行业LCDs/LEDs和光纤器件的封装;由于它高导热性,还广泛用于散热工艺;美国宇航局认可,无毒性,符合USP CLASS VI生物标准.

H20E-PFC

半导体材料,用于倒装芯片内部连接无焊连接工艺;通过漏版印刷可形成球点,或直径4mil和8mil印刷密度的球点阵列.应用于晶圆级或单片机凸块技术,推荐用于存储器(SRAM,DRAM),钟表机心,射频识别标签(RFID tags),智能卡,军品及医疗设备中倒装芯片的封装应用.对金、铜、银、钯化银(Ag-Pd)合金器件及镀金属基材有良好的粘接效果.

H20E-175

用于半导体/JEDEC封装;集成电路微电子及高温器件的封装和组装;是军品、宇航/飞行器座舱及工业(石油井下)电路中Rf/微波器件封装的理想材料.混合后3天的工作时间,适合大批量生产线,降了浪费节省了成本.

H21D

高Tg,用于微电子和光电子行业芯片粘接;300℃高温引线健合技术,盖封(lid sealing);混合电路/飞行器座舱及人造卫星中Rf/微波器件封装.

H35-175MP

军用混合电路芯片及器件粘接;对类似LEDs、GaAs及二极管小尺寸芯片有极好的粘接性能;美国宇航局(NASA)认可低挥发;符合MIL STD 883/5011测试标准;广泛用于光电封装,混合电路.对科瓦铁镍钴合金(Kovar)、陶瓷及BT等基板有良好的粘接效果.

H37MP

混合微电子芯片及SMD封装.有效消除粘接大尺寸器件或基板开裂现象.用于导线架和焊盘符合JEDEC塑料芯片封装技术;符合MIL STD 883D/5011测试标准;对陶瓷、硅、金/Kovar及AgPd有极好的粘接效果.经美国宇航局NASA以ASTM E595认可低挥发性.

P1011

改进聚酰亚胺,用于微电子和光电子行业芯片粘接;特别推荐用于陶瓷双列式直插式封装(Cerdip packaging).高Tg,在同类产品中,其中含氯量可能低最.